衬底片完了之后就是长外延，外延之后就是一系列的光刻，刻蚀，涂胶，沉积，清洗，离子注入等工艺，和硅工艺基本一致，然后就是后道的晶圆切die，封装测试等，基本流程和硅差不多!其中长外延，光刻胶，背面退火，刻蚀，以及氧化栅极工艺区别，欧姆接触和硅工艺区别非常大。硅的外延工艺就是普通的硅外延炉之类价格也很便宜国产的大约400-500万一台（8英寸的）；碳化硅的是特殊的MOCVD/HT-CVD，且价格非常贵，基本要800-1500万人民币一台，而且产能很低，一台炉子一个月产能是30片。

　　必须用的是一种特殊光刻胶？干膜光刻胶？具体名称我叫不上来了，反正和硅肯定不一样!第三刻蚀，这里涉及非常复杂的工艺结构问题，现在玩碳化硅的国际三大家，英飞凌，罗姆，和CREE！其中CREE主要搞平面型，英飞凌的是非对称半包结构，罗姆是双/深沟槽结构，还有一个住友整过一个接地双掩埋!之所有英飞凌和罗姆要整这么复杂的沟槽结构，原因很简单，碳化硅和硅不一样，掺杂后的扩散推结动作异常困难，只能搞挖沟槽！其次，是增加功率/面积比，相比之下沟槽能比平面型降低30%的成本，这招业内俗称“偷面积”，能偷30%，相当可观了.

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　　外延片质量和衬底质量有一定的关系，但是不是关系，高水平的外延能很大程度上弥补衬底固有缺陷，但是缺陷太多长一层外延也并不解决问题，但是外延长的好确实降低了器件对衬底的要求！所以哪怕衬底有这么点瑕疵，外延之后，依然能用!现阶段，是有衬底就行了，所以哪怕衬底质量有些问题，依然能用，敢用原因就在这里，碳化硅需求太旺盛了!其次器件是在外延层上，除了IGBT那种垂直穿通型的结构，大部分都是在外延层上做的结构，衬底甚至还要减薄，剥离，反正有相当一部分衬底都要被剥离，有点小问题也所谓，因此外延工艺降低了器件对衬底的要求，至少二极管之类肯定是能用的！

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　　第六，退火掺杂完了，退火工艺也和硅不一样，是一个点一个点的激光退火！国内类似大族的激光设备是可以用的!第七，背面欧姆接触同理离子注入，半导体与金属接触会形成势垒，当半导体的掺杂浓度很高的时候电子可以借助“隧穿效应”穿过势垒，从而形成低阻的欧姆接触，形成良好的欧姆接触是有利于电流的输入和输出，因此选择什么金属材料对于碳化硅做欧姆接触很重要！碳化硅的长晶技术大致有三种，PVT物理气相传输法，HT-CVD高温气相沉积法，以及LPE溶液法!

　　第五，掺杂问题碳化硅烦就是这个离子注入掺杂问题，因为碳化硅的N型掺杂氮，P型掺杂是铝!这铝原子比硅原子和碳原子大太多了，简直异物插入！因此需要高能粒子注入机，目前只有应材和爱发科有，爱发科的机台适合小批量生产，应材的产能更大但是更贵，都300万美金朝上的价格，不管爱发科还是应材都是1年半起步的订货周期，一台设备就是产能，看谁动作快!硅离子注入机能改，但是代价不小，效果一般，建议买新的，这个钱必须花！

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