国内很多公司比如露笑，东尼，晶盛机电，这些年经过技术改良和成本控制后，能做到150-200万一台甚至更便宜的价格，这个价格基本也能接受。其次碳化硅非常硬，莫氏硬度高达3是高于蓝宝石仅次于金刚石的，是坚硬的一种物质，因此切磨抛加工带来巨大的困难.第二，光刻胶与曝光工艺。我一直以为碳化硅曝光和硅基本一致，后面发现并不是这样，还是那个问题碳化硅有很好的透光性，普通6英寸光刻工艺的硅的光刻胶是完成不了曝光工序的！

　　第六，退火掺杂完了，退火工艺也和硅不一样，是一个点一个点的激光退火.国内类似大族的激光设备是可以用的.第七，背面欧姆接触同理离子注入，半导体与金属接触会形成势垒，当半导体的掺杂浓度很高的时候电子可以借助“隧穿效应”穿过势垒，从而形成低阻的欧姆接触，形成良好的欧姆接触是有利于电流的输入和输出，因此选择什么金属材料对于碳化硅做欧姆接触很重要.碳化硅的长晶技术大致有三种，PVT物理气相传输法，HT-CVD高温气相沉积法，以及LPE溶液法.

　　显然CREE平面型的刻蚀工序就不会很多，但是英飞凌和罗姆都是类似沟槽结构，刻蚀工序必然又多又复杂!到现在这沟槽结构已经异常复杂，已经变成多级沟槽！洒家推测，以后的碳化硅刻蚀设备不仅仅是一个台ICP刻蚀，应该是一台ICP-CVD刻蚀设备，在挖多级沟槽的时候，一边挖一边砌墙，刻蚀与沉积保护膜同步进行。第四，栅极工艺的问题.罗姆曾经吃过亏，整个碳化硅一大块面积都糊了.洒家请教过很多专家，有部分人的认为，问题出在氧化栅极上，MOSFET的栅极就是这一层二氧化硅。

功能化碳化硅销售电话

　　 公司是一家以半导体材料为主的企业，主打碳化硅，更多产品详详情请拨打电话：15866222366海君 或到访山东省枣庄高新区张范街道枣曹路南侧甘霖村西10米薛煤加油站院内101号。枣庄鑫国新能源有限公司期待与您一起合作共赢，在追求低价格高效率，快速度的同时，更注重质量的保证，努力为客户做好每一件产品，做到在成长中求发展，始终保持一种尽善尽美的工作态度，满怀希望和热情的朝着目标努力。

　　外延炉主要是国外的爱思强，意大利的LPE（被ASM收购），日本的TEL，Nuflare！国内有不少公司干这个，类似北方华创，中微，以及一些小公司！PVT法的长的碳化硅晶体天然是N型，没有P型，但是做外延层就可以调节N还是P，以及掺杂浓度（至少硅的外延层就是这样的）。之所以要做外延层，道理也很简单，消除衬底本身的缺陷问题，提高器件良率，其次是根据不同工艺，需要做不同外延掺杂工艺!那么对于碳化硅而言，外延之后，能明显提高良率!

　　其中PVT比较主流，优点是简单，可靠，成本可控！CVD对设备要求太高，价格很贵，只有高质量的半绝缘衬底会用这个方法；LPE溶液法能做天然P型衬底，但是缺陷很难控制，还需要时间积累，日本公司不少专注于这个路线.以PVT法为例，这种方案下碳化硅生长速度只有硅材料生长速度的1/100都不到，144小时只有2cm左右的厚度，实在是太慢了，要想获得更多的产量，只能靠长晶炉数量堆！目前国外日新技研和PVATepla的长晶炉基本要卖到300万左右一台。

　　衬底片完了之后就是长外延，外延之后就是一系列的光刻，刻蚀，涂胶，沉积，清洗，离子注入等工艺，和硅工艺基本一致，然后就是后道的晶圆切die，封装测试等，基本流程和硅差不多。其中长外延，光刻胶，背面退火，刻蚀，以及氧化栅极工艺区别，欧姆接触和硅工艺区别非常大。硅的外延工艺就是普通的硅外延炉之类价格也很便宜国产的大约400-500万一台（8英寸的）；碳化硅的是特殊的MOCVD/HT-CVD，且价格非常贵，基本要800-1500万人民币一台，而且产能很低，一台炉子一个月产能是30片。

　　 枣庄鑫国新能源有限公司主营：碳化硅等等产品，涉及半导体材料等等行业。 公司实力雄厚，重信用、守合同、保证产品质量，以多品种经营特色和薄利多销的原则，赢得了广大客户的信任。 多年来致力于半导体材料，拥有众多的专业人才，并通过多年以来不断的积累，在业界形成良好的口碑。 售后方面也赢得了用户的一致好评。您的满意是我们一直前进的动力。

　　外延片质量和衬底质量有一定的关系，但是不是关系，高水平的外延能很大程度上弥补衬底固有缺陷，但是缺陷太多长一层外延也并不解决问题，但是外延长的好确实降低了器件对衬底的要求!所以哪怕衬底有这么点瑕疵，外延之后，依然能用！现阶段，是有衬底就行了，所以哪怕衬底质量有些问题，依然能用，敢用原因就在这里，碳化硅需求太旺盛了!其次器件是在外延层上，除了IGBT那种垂直穿通型的结构，大部分都是在外延层上做的结构，衬底甚至还要减薄，剥离，反正有相当一部分衬底都要被剥离，有点小问题也所谓，因此外延工艺降低了器件对衬底的要求，至少二极管之类肯定是能用的。