防氧化剂法除了优先碳源氧化生成金属氧化物和碳化物阻止含碳材料的氧化外，还可以通过固相反应生成液相等物质堵塞材料内部气孔提升材料的致密度阻止氧气的进入来提高防氧化效果，优化碳源法则通过复合碳源以及在碳源的表面添加涂层达到一定的防氧化效果!详细阐述了3种方法的工艺特点以及目前存在的问题，并对其发展方向进行了展望，为开发新型三氧化二铝-碳化硅-碳浇注料防氧化技术提供参考!高炉炼铁是钢铁工业普遍采用的炼铁工艺流程.

　　2cm厚度的碳化硅晶锭，现有技术完全切开也需要至少100小时左右，相当费时间!锯切效率高，但是破片率高，线切效果稍好，但是效率很低.切磨抛设备日本高鸟，永安有不少新设备上线，从业内反馈效果还行，但是日本公司都有个通病，不太愿意大规模扩产，因此这些设备谁买到谁就能先把产能扩出来!英飞凌曾经花了24亿欧元收购一家做碳化硅冷切割（coldspitl）技术的公司Silecrta，以希望用冷切割技术，低成本得到多的碳化硅晶片.

　　禁带宽度越大，器件的极限工作温度越高.碳化硅的禁带接近硅的3倍，可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性.硅器件的极限工作温度一般不能超过300℃，而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600℃以上。同时，碳化硅的热导率比硅更高，高热导率有助于碳化硅器件的散热，在同样的输出功率下保持更低的温度，碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低，有助于实现设备的小型化.实现高频的性能.碳化硅的饱和电子漂移速率大，是硅的2倍，这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度!

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　　同时碳化硅衬底材料能量损失更小！在相同的电压和转换频率下，400V电压时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量损失的29%-60%之间；800V时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量损失的30%-50%之间。因此碳化硅器件的能量损失更小。当前外延主要以4英寸及6英寸为主，大尺寸碳化硅外延片占比逐年递增.碳化硅外延尺寸主要受制于碳化硅衬底尺寸，当前6英寸碳化硅衬底已经实现商用，因此碳化硅衬底外延也逐渐从4英寸向6英寸过渡。

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　　在相当长时间内，高炉炼铁仍将是炼铁工艺的选择！高炉出铁沟是铁水和炉渣熔化后的必要通道.高炉出铁沟浇注料是保障高炉出铁沟出铁安全、稳定、运行的基础，延长高炉出铁沟浇注料的使用寿命可以有效降低炼铁成本和提高生产效率。因此，它是炼铁工艺中的基础和关键耐火材料之一!由于出铁沟频繁受到高温铁水和熔渣的机械冲蚀和侵蚀，所以出铁沟浇注料必须具有优良的抗热冲击性和抗渣性.耐高温！半导体器件在较高的温度下，会产生载流子的本征激发现象，造成器件失效!

　　有人说这是激光切割技术，作者研究后发现应该不是激光切割，而是类似离子注入法和做SOI硅片的技术比较接近的剥离技术！碳化硅透光率很高，激光切并不合适，而且激光切割设备相当昂贵，当然离子注入法剥离也不简单，现阶段现实的还是线切！切割良率就真正考验各家水准了，同样3cm晶锭厚度，终得片率是30片还是33片还是35片？每多一片都是利润。对于磨抛而言，也有不少技术难点还未完全，但是要比切略简单，无非是慢一点。