在相当长时间内，高炉炼铁仍将是炼铁工艺的选择!高炉出铁沟是铁水和炉渣熔化后的必要通道！高炉出铁沟浇注料是保障高炉出铁沟出铁安全、稳定、运行的基础，延长高炉出铁沟浇注料的使用寿命可以有效降低炼铁成本和提高生产效率。因此，它是炼铁工艺中的基础和关键耐火材料之由于出铁沟频繁受到高温铁水和熔渣的机械冲蚀和侵蚀，所以出铁沟浇注料必须具有优良的抗热冲击性和抗渣性。耐高温！半导体器件在较高的温度下，会产生载流子的本征激发现象，造成器件失效！

　　在未来几年里，大尺寸碳化硅外延片占比会逐年递增！由于4英寸碳化硅衬底及外延的技术已经日趋成熟，因此，4英寸碳化硅外延晶片已不存在供给短缺的问题，其未来降价空间有限!此外，虽然当前国际先进厂商已经研发出8英寸碳化硅衬底，但其进入碳化硅功率器件制造市场将是一个漫长的过程，随着8英寸碳化硅外延技术的逐渐成熟，未来可能会出现8英寸碳化硅功率器件生产线。碳化硅外延主要解决外延晶片均匀性控制和外延缺陷控制两大问题！

　　防氧化剂法除了优先碳源氧化生成金属氧化物和碳化物阻止含碳材料的氧化外，还可以通过固相反应生成液相等物质堵塞材料内部气孔提升材料的致密度阻止氧气的进入来提高防氧化效果，优化碳源法则通过复合碳源以及在碳源的表面添加涂层达到一定的防氧化效果!详细阐述了3种方法的工艺特点以及目前存在的问题，并对其发展方向进行了展望，为开发新型三氧化二铝-碳化硅-碳浇注料防氧化技术提供参考!高炉炼铁是钢铁工业普遍采用的炼铁工艺流程！

　　禁带宽度越大，器件的极限工作温度越高.碳化硅的禁带接近硅的3倍，可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性!硅器件的极限工作温度一般不能超过300℃，而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600℃以上!同时，碳化硅的热导率比硅更高，高热导率有助于碳化硅器件的散热，在同样的输出功率下保持更低的温度，碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低，有助于实现设备的小型化!实现高频的性能.碳化硅的饱和电子漂移速率大，是硅的2倍，这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度。

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　　所以在实际应用过程中，与硅基相比可以设计成更小的体积，约为硅基器件的1/10.耐高温.半导体器件在较高的温度下，会产生载流子的本征激发现象，造成器件失效。禁带宽度越大外延晶片均匀性控制方面，由于外延片尺寸的增大往往会伴随外延晶片均匀性的下降，因此大尺寸外延晶片均匀性的控制是提高器件良率和可靠性、进而降低成本的关键！外延缺陷控制问题.基晶面位错（BPD）是影响碳化硅双极型功率器件稳定性的一个重要结晶缺陷，不断降低BPD密度是外延生长技术发展的主要方向！

　　由于碳化硅硬度和蓝宝石比较接近，因此蓝宝石的粗抛设备以及SLurry配方略经改良，是可以用的，细抛就要上新设备了，但是这部分设备占整体成本并不不高，大体可控！碳化硅在半导体中存在的主要形式是作为衬底材料，基于其优良的特性，碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，当前碳化硅衬底已应用于射频器件及功率器件！碳化硅器件优点如下：耐高压!击穿电场强度大，是硅的10倍，用碳化硅制备器件可以大地提高耐压容量、工作频率和电流密度，并大大降低器件的导通损耗！ 本次《规划》提出，要强化自主创新能力的建设，一是加快实施国家重大科技专项；二是加强移动通信、笔记本电脑、软件、新型显示器等领域的创新能力建设，完善公共技术服务平台；三是支持各种形式的产业联盟，促进联合协同创新；四是大力推进我国自主标准产业化进程，加强新技术产品关键标准的制定和推广工作，加强知识产权保护；五是国家新增投资向电子信息产业倾斜，加大引导资金投入，实施6项重大工程，支持自主创新和技术改造项目建设，并鼓励地方对专项工程的支持和引导社会资源投向电子信息产业；六是引进6项重大工程的高端人才，提高国内研发水平。通过这一系列的措施，将有效地推动我国电子信息产业自主创新能力的提升，实现产业发展的新跨越。