第五，掺杂问题碳化硅烦就是这个离子注入掺杂问题，因为碳化硅的N型掺杂氮，P型掺杂是铝。这铝原子比硅原子和碳原子大太多了，简直异物插入。因此需要高能粒子注入机，目前只有应材和爱发科有，爱发科的机台适合小批量生产，应材的产能更大但是更贵，都300万美金朝上的价格，不管爱发科还是应材都是1年半起步的订货周期，一台设备就是产能，看谁动作快。硅离子注入机能改，但是代价不小，效果一般，建议买新的，这个钱必须花.

　　显然CREE平面型的刻蚀工序就不会很多，但是英飞凌和罗姆都是类似沟槽结构，刻蚀工序必然又多又复杂!到现在这沟槽结构已经异常复杂，已经变成多级沟槽！洒家推测，以后的碳化硅刻蚀设备不仅仅是一个台ICP刻蚀，应该是一台ICP-CVD刻蚀设备，在挖多级沟槽的时候，一边挖一边砌墙，刻蚀与沉积保护膜同步进行！第四，栅极工艺的问题.罗姆曾经吃过亏，整个碳化硅一大块面积都糊了。洒家请教过很多专家，有部分人的认为，问题出在氧化栅极上，MOSFET的栅极就是这一层二氧化硅。

　　外延炉主要是国外的爱思强，意大利的LPE（被ASM收购），日本的TEL，Nuflare.国内有不少公司干这个，类似北方华创，中微，以及一些小公司!PVT法的长的碳化硅晶体天然是N型，没有P型，但是做外延层就可以调节N还是P，以及掺杂浓度（至少硅的外延层就是这样的）!之所以要做外延层，道理也很简单，消除衬底本身的缺陷问题，提高器件良率，其次是根据不同工艺，需要做不同外延掺杂工艺！那么对于碳化硅而言，外延之后，能明显提高良率。

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　　国内很多公司比如露笑，东尼，晶盛机电，这些年经过技术改良和成本控制后，能做到150-200万一台甚至更便宜的价格，这个价格基本也能接受！其次碳化硅非常硬，莫氏硬度高达3是高于蓝宝石仅次于金刚石的，是坚硬的一种物质，因此切磨抛加工带来巨大的困难!第二，光刻胶与曝光工艺!我一直以为碳化硅曝光和硅基本一致，后面发现并不是这样，还是那个问题碳化硅有很好的透光性，普通6英寸光刻工艺的硅的光刻胶是完成不了曝光工序的！

　　 枣庄鑫国新能源有限公司是一家着力于研究半导体材料的公司， 经过多年的坚持不懈与努力，公司在业内也算是有属于自己的一片天。 公司多年来一直坚持为客户提供专业、快捷、周到的服务，愿与业内同仁共同致力于行业的进步。 公司主营产品有:碳化硅，我们在这里等待您的到来！

　　第六，退火掺杂完了，退火工艺也和硅不一样，是一个点一个点的激光退火.国内类似大族的激光设备是可以用的！第七，背面欧姆接触同理离子注入，半导体与金属接触会形成势垒，当半导体的掺杂浓度很高的时候电子可以借助“隧穿效应”穿过势垒，从而形成低阻的欧姆接触，形成良好的欧姆接触是有利于电流的输入和输出，因此选择什么金属材料对于碳化硅做欧姆接触很重要。碳化硅的长晶技术大致有三种，PVT物理气相传输法，HT-CVD高温气相沉积法，以及LPE溶液法！

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　　衬底片完了之后就是长外延，外延之后就是一系列的光刻，刻蚀，涂胶，沉积，清洗，离子注入等工艺，和硅工艺基本一致，然后就是后道的晶圆切die，封装测试等，基本流程和硅差不多!其中长外延，光刻胶，背面退火，刻蚀，以及氧化栅极工艺区别，欧姆接触和硅工艺区别非常大。硅的外延工艺就是普通的硅外延炉之类价格也很便宜国产的大约400-500万一台（8英寸的）；碳化硅的是特殊的MOCVD/HT-CVD，且价格非常贵，基本要800-1500万人民币一台，而且产能很低，一台炉子一个月产能是30片！

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　　必须用的是一种特殊光刻胶？干膜光刻胶？具体名称我叫不上来了，反正和硅肯定不一样.第三刻蚀，这里涉及非常复杂的工艺结构问题，现在玩碳化硅的国际三大家，英飞凌，罗姆，和CREE!其中CREE主要搞平面型，英飞凌的是非对称半包结构，罗姆是双/深沟槽结构，还有一个住友整过一个接地双掩埋。之所有英飞凌和罗姆要整这么复杂的沟槽结构，原因很简单，碳化硅和硅不一样，掺杂后的扩散推结动作异常困难，只能搞挖沟槽。其次，是增加功率/面积比，相比之下沟槽能比平面型降低30%的成本，这招业内俗称“偷面积”，能偷30%，相当可观了.