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北京飞鸿恒信科技有限公司供应的富IGBT模块主要有以下型号:
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IXYS模块VUO52-16NO1_优质库存电子元器件、材料最新报价
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凌阳科技(Sunplus Technology)4月9日宣布,为强化凌阳、Oak与韩国三星电子间的合作关系,Oak在取得凌阳的同意之下,将部分光储存技术授权给韩国三星电子,促成三星与凌阳缔结策略伙伴关系。三星将与凌阳的子公司宏阳科技合作开发、生产最先进的下一世代光储存SOC芯片及解决方案。宏阳科技的主要营运基地设在台湾,在美国加州设有研发单位,Oak持有宏扬科技的少部分股权。 凌阳表示将部分光储存技术授权与三星,可望为凌阳与三星之间带来更多的合作机会,并让凌阳及Oak分别获取相关IP的权利金。三星与宏阳的合作可加速产品开发时程,发挥研发资源投资的综效并提供高效能与高竞争力的光储存SOC产品解决方案。由于消费者运用光储存媒体管理、存放及传递数字化内容资料的趋势与日俱增,显示出光储存媒体的市场成长快速且潜力雄厚,根据研究机构爱迪西 (IDC) 报告预测:可录式的光储存控制芯片(包括CD-RW、Combo与Recordable DVD)2003年出货量可达到1亿5百万套,2004年出货量将成长至1亿3千万套。
北京飞鸿恒信科技有限公司优价供应日本富士IGBT模块,欢迎来电咨询!
富士电机是日本一家著名的半导体器件及机电产品生产企业,也是全球最知名半导体器件厂商之一,其拥有最现代化及最先进的半导体生产技术及工艺。不断研发与创新,引领电力电子半导体最新技术是富士电机屹立世界半导体行业的根本。
IGBT模块 X系列的优点
减少电力损耗,利于节能
本公司第7代“X系列”通过薄化构成本模块的IGBT元件以及二极管元件的厚度,使其小型化,从而优化元件结构。因此,与以往产品相比(本公司第6代“V系列”),降低变换器运行时的电力损耗。有利于运载机器节能和削减电力成本。
实现机器的小型化
运用新开发的绝缘板,提高模块的散热性能。通过与上述(降低电力损耗)配合控制散热,与以往制品相比,约减小36%,实现了小型化※ 1。另外,通过将连续运行时芯片的最大保证温度从150℃升到175℃,可以在保持运载机器尺寸的同时,将输出电流最多增加35%※ 2。因此有助于机器的小型化和降低总成本。
※ 1:1200V 75A PIM 产品的安装面积比
※ 2:本公司验算值
有助于提高机器的可靠性
修正模块的构造和所使用的部件,提高了高温运行时的稳定性和持久性。有助于提高运载机器的可靠性。
北京飞鸿恒信科技有限公司优价供应富士IGBT、可控硅、整流桥、二极管、快熔等功率模块,品种齐全,现货供应,品质保证,欢迎订购!
本报讯 备受社会各界关注、依据企业2002年营业收入排定的2003年(第17届)电子信息百强企业,经过企业积极申报、各省市行业主管部门认真推荐和信息产业部严格审核,于4月24日在北京揭晓。海尔集团公司以实现年营业收入711亿元的业绩首次荣登电子信息百强企业之首,中国普天信息产业集团公司和联想控股有限公司分列第二、第三名。第四名至第十名的企业分别是:TCL集团有限公司,上海广电(集团)有限公司,海信集团有限公司,华为技术有限公司,熊猫电子集团有限公司,北京北大方正集团公司,四川长虹电子集团有限公司。
碳纳米管制造技术的出现,的确是存储器制造技术的一个新里程碑。但是,这种技术目前潜在一个问题:在制造过程中很难区分纳米管的类型。制造过程中必须要区分导性和半导性纳米管。如果实现不了这种技术分类,那么,碳纳米管还不如其它芯片制造工艺。有关分析家预测,Nantero公司开始使用纳米管生产集成芯片,这只是碳电子技术应用的开端。纳米管随机存取存储器(NRAM)的记忆存储能力在18个月内会以0.4GB的速度发展。在未来三年中,纳米管制造工艺将日益完善并在存储器市场将占有一席之地。(明月编译)
电动机可变速驱动装置和电子计算机的备用电源装置等电力变换器,随着双极型功率晶体管模块和功率MOSFET的出现,已经起了很大的变化。这些使用交换元件的各种电力变换器也随着近年来节能、设备小型化轻量化等要求的提高而急速地发展起来。但是,电力变换器方面的需求,并没有通过双极型功率晶体管模块和功率MOSFET得到完全的满足。双极型功率晶体管模块虽然可以得到高耐压、大容量的元件,但是却有交换速度不够快的缺陷。而功率
MOSFET虽然交换速度足够快了,但是存在着不能得到高耐压、大容量元件等的缺陷。
IGBT(JEDEC登录名称,绝缘栅双极晶体管)正是作为顺应这种要求而开发的,它作为一种既有功率MOSFET的高速交换功能又有双极型晶体管的高电压、大电流处理能力的新型元件,今后将有更大的发展潜。
1.1 电压控制型元件IGBT的理想等效电路,正如图 1-2所示,是对pnp双极型晶体管和功率
MOSFET进行达林顿连接后形成的单片型Bi-MOS晶体管。
因此,在门极—发射极之间外加正电压使功率MOSFET导通时,pnp晶体管的基极—集电极间就连接上了低电阻,从而使pnp晶体管处于导通状态。
此后,北京飞鸿恒信科技有限公司,飞鸿恒信科技,使门极—发射极之间的电压为0V时,北京富士IGBT模块出售,北京电子元器件、材料代理特价,首先功率MOSFET处于断路状态,pnp
晶体管的基极电流被切断,从而处于断路状态。
如上所述,IGBT和功率MOSFET一样,通过电压信号可以控制开通和关断动作。
富士电机电子设备技术的IGBT技术从1988年开始产品化,至今一直在市场上供应。图
1-3中表现了从第一代到第五代IGBT产品的开发过程以及运用技术。第一代至第三代的
IGBT中运用了外延片,通过优化生命期控制和IGBT的细微化技术,进行了特性的改善。然后,第四代和第五代产品通过从外延片过渡为FZ(Floating Zone)晶片,实现了大幅度的特性改善。就此,IGBT的设计方针与从前相比,发生了很大的转变。
首先,运用外延片的IGBT(第三~第四代的600V型为止的系列产品,被称为“击穿型”
)的基本设计思想如下所述。IGBT在导通时为了实现低通态电压化,从集电极侧注入大量的载流子,北京富士IGBT模块出售,北京电子元器件、材料代理,使IGBT内部充满高浓度的载流子,再加上为维持高电压而专门设置的n缓冲层,北京富士IGBT模块出售,电子元器件、材料代理,形成很薄的n-层,从而实现低通态电压。为了实现快速交换,也同时采用以IGBT内充满的载流子快速消失为目的的生命期控制技术(通过这些也能实现低交换损耗(Eoff))。但是,一旦运用了生命期控制技术,即使处于通常的导通状态,由于该技术所产生的效果(载流子的输送效率下降),出现了通态电压增加的问题,而通过载流子的更进一步高注入化可以解决这个问题。总之,使用外延片技术的IGBT的基本设计理念可以用“高注入、低输送效率
”简单扼要地概括出来。相对而言,使用FZ晶片的IGBT(第四代1200V以后的系列)采用了抑制来自集电极侧载流子的注入,并通过降低注入效率来提高输送效率的逆向基本设计。在前面所述的使用外延片的IGBT的设计理念产。