耐高低温高精度远距离激光测距传感器-工业级高速测距模块企业-上海协堡电子有限公司 V2O纳米线阵列光电探测器性能 　　制备的二氧化钒/碳纳米管复合薄膜，具有较强红外光电响应　　　　热红外探测器是利用红外辐射的热效应引起探测器的温度变化而实现探测的，相对于光子型红外探测器来说，热红外探测器的优势是其与入射光波长无关，可以工作在室温，且成本低。VO2(M)具有较大的温度电阻系数，碳纳米管具有热容小、导热快的特点。将VO2(M)与碳纳米管复合起来，形成双层复合薄膜，这样就可以充分利用两者的优势，将碳纳米管上吸收的热迅速传给VO2(M)，最大限度地增大红外光电特性。他们和清华大学纳米科技研究中心教授姜开利课题组合作，制备了碳纳米管与VO2双层复合膜。这种VO2(M)/碳纳米管双层复合膜的红外光电响应特性明显高于单纯的VO2薄膜(J. Mater. Sci., DOI: 10.1007/s10853-017-0959-z) SLDS-C100/C150/C200/C250激光测距传感器是上海协堡电子有限公司最新研发的远距离高精度激光距离传感器，产品广泛应用于桥梁隧道形变收敛监测、行车定位、工业自动化现场控制、电梯位置监控、防撞监控、建筑物形变监测等场合；产品集高稳定性、大量程、高精度和高可靠性等诸多优势于一体，具有丰富的数字量和模拟量输出接口，能满足各种现场应用需求。 供电电压：6~36V DC； 量程-SLDS-C100：0~100米； 量程-SLDS-C150：0~150米； 量程-SLDS-C200：0~200米； 量程-SLDS-C250：0~250米； 分辨率：0.1mm； 激光波长：635nm（可见激光）二类安全激光； 精度：单次模式不低于0.8mm； 数据刷新频率：最高25HZ； 外形尺寸：150mm*86mm*45mm； 工作温度：-15℃~55℃； 防护等级：IP67； 信号接口：RS232/RS485/RS422/CAN/4~20mA/0~5V/0~10V /MODBUS/开关量； 电源防反接保护：有； 总线抗雷击保护：有； 过流保护：有； 外形专利：有； RS485/CAN总线最大兼容节点数：128； SLDS-C100/C150/C200/C250激光测距传感器专门针对工业应用而设计，量程有100米、150米、200米/250米，数据刷新频率高达25HZ时仍能确保1mm的精度，产品具有极宽的工作温度范围：能确保24小时连续工作不影响精度和稳定性，虽然SLDS-C100/C150/C200/C250系列产品最远距离达到250米的距离，但丝毫不影响产品的测试精度和稳定性，其单次测量精度优于0.8mm，在同类远量程产品中有显著的性能优势； 　　成功制备大尺寸高度有序的氧化钒纳米线阵列　　　　目前纳米材料光电特性的研究大部分集中在单根纳米线方面，他人的研究表明，单根纳米线的光电特性要好于常规市售的光电探测器。然而，由于单根纳米线的有效光照面积很小，导致所产生的光电流很小，需要非常精密的仪器来测量。如果将单根纳米丝排列起来，形成有序阵列，这样既可以发挥纳米材料光电特性好的优点，又能够最大限度地增加有效光照面积。基于此，课题组付文标等采用水热法制备了结晶度高、缺陷少的氧化钒纳米线，并将其顺排起来，成功地制备了大尺寸高度有序的氧化钒纳米线阵列，阵列尺寸可以达到平方毫米量级。所制备的V2O5光电探测器原型器件在入射波长为450nm下，表现出高的探测性能，器件响应度为160.3 mA/W，探测率为6.5×108Jones，响应时间为17~12 ms(J. Mater. Chem. C, 2017, 5(6): 1471-1478)。这项工作对推进阵列结构制备和在光电子器件等领域的应用都具有重要意义。　 VO2(M)/碳纳米管复合薄膜制备及红外探测曲线图　　碲纳米线有序阵列红外探测器研究取得进展　　　　碲是一种窄带隙半导体材料，室温下带隙约为0.35eV，具有优越的光电性能。相对于具有大量界面的纳米晶薄膜来说，单晶纳米线晶界少，对光生载流子的散射效应弱，因此表现出良好的光电特性，是目前研究的一大热点。如前所述，将单根纳米线顺排组装起来，形成有序阵列，将可以发挥纳米材料光电特性好的优点，又能够最大限度增加有效光照面积 .上海协堡电子有限公司___耐高低温高精度远距离激光测距传感器-工业级高速测距模块企业-上海协堡电子有限公司