SPD选型原则
1、级间配合:电涌保护器SPD2 安装在 SPD1的下游, 通常它的各项参数指标(Imax, In, Ures)都比 SPD1小。但如果它与 SPD1安装得过近, SPD2 有可能比 SPD1更早动作, 从而要承受本由 SPD1承受的高能量。
一定要按逐级分流、分级保护的方法,才能保证SPD即有很长的寿命,又能把电源系统雷击电涌电压限制在设备能承受的水平内。
2、15米原则:当进线端的SPD与被保护设备之间的距离 > 15 米, 应在离被保护设备尽可能近的地方安装另一个电涌保护器
3、10米原则:当保护SPD1和SPD2作为级联安装时,SPD1和SPD2之间的最短距离:10 米。目的为了延迟SPD2上雷击波的到达,以使尽可能多的能量被SPD1释放。
4、50CM原则:进线和出线可以直接并接,也可以用V形接法(凯文接线)连接。直接并接要求a+b≤0.5m, 而V形接法只要求a≤0.5m,以减少引线电感电压降对被保护设备的冲击。
由于立体车库与自走式车库比较,具有环保节能、空间利用率高、安全便捷等优势。同时在规划设计方面也比较灵活,可以设计在地下一层、建筑顶层、建筑的中段等,与建筑融合在一起,既解决了停车难题,又增加了商业面积。立体停车库采用的特来电充电系统设计以交流慢充为主,兼顾直流快充的充电方式,尤其适合于企事业单位用车、私人乘用车、电动出租车等未来主要客户群的充电需求。规模推广将有利于改变目前电动汽车充电设施面向客户群单一、利用率低等问题,将极大促进电动汽车的市场化。 会上,薛文锋总裁作了集团上半年度工作总结报告。报告全面总结了上半年度集团在经营管理、企业发展过程中的成绩和不足,部署了集团和各子公司、各部门下半年度各项经营、管理目标和工作要求,明确了集团下半年度各项工作开展整体思路。薛文锋总裁明确指出,三个升级和转型的重要目标。并要求市场开拓团队要更加的深入、细化,重点着眼于市场的发展潜力,更要求全体干部、员工紧跟集团发展步伐,解放思想、团结拼搏、开拓创新,为促进集团又好又快发展贡献新的力量、谱写新的篇章。 日本学者在XLPE中添加了导电无机填料,使得载流子密度在绝缘中分布均匀,抑制了空间电荷。王霞等通过将少量茂金属催化聚乙烯共混来提高聚乙烯的介电性能,尹毅等以氯化聚乙烯为添加剂与低密度聚乙烯共混,都对空间电荷的抑制起到了一定的作用。目前的报道中还有利用纳米BaSrTiO3、纳米MgO、纳米ZnO、纳米SiO2等。然而,由于纳米填料表面与聚合物本体的相容性较差,质量好电涌保护器,漏电保护器相关,导致纳米填料严重团聚,实验结果分散性大,难以得到广泛推广,极大限制了高压直流电缆绝缘材料的发展。纳米ZnO技术
1、高电位梯度:近年国内外的研究结果表明,ZnO芯片的电位梯度取决于单位厚度内的晶界数目,液相扩散控制ZnO晶粒的生长速度;而晶界数目又是由ZnO晶粒粒径所确定的,故减小ZnO晶粒粒径是提高ZnO芯片电位梯度的主要途径。
纳米ZnO是由极细晶粒组成,其特征维度尺寸(晶粒尺寸、晶界宽度、第二相分布等)是纳米数量级。以纳米ZnO为核心的高梯度配方的设计,能够有效增加晶界层数量、抑制晶粒生长速度及提高势垒高度,能够大幅提高单位面积的通流能力,质量好电涌保护器,其他高压电器,能够大幅提高电位梯度。
2、高能量耐受:同单位体积的能量耐受,主要体现在ZnO芯片击穿。其主要原因是由于电流分配不均匀导致热能汇集某一点,最终归结于微观组织结构的不均匀性所致。这就要求尽可能从制造工艺上提高ZnO芯片结构和成分均匀性、减少陶瓷本体内部缺陷。
在原料的选用上,纳米ZnO粒子作为联系宏观物体及微观粒子的桥梁,其表面效应伴随着粒径的减小,表面原子数的迅速增加,纳米粒子的表面积、表面能都迅速增大。表面原子周围缺少相邻的原子,有许多悬空键,具有不饱和性质,易与其它原子相结合而稳定下来,故具有很大的化学活性。
在添加剂的选用上,使用易于分散、活性较高的改性纳米BiO 3 ,有助于提高烧结过程中的传质速度,有助于改善液相对界面的侵润性,形成良好的晶界面。纳米材料的配方、新型高效分散设备的应用和窑炉曲线的调整,对于芯片均匀
性改善均起到显著作用,对于单位体积能量耐受能力提高起到显著作用。
热能聚中技术
1、高安全性:热能聚集人为控制在中心区域;非中心区域的温度,北京电联港电器设备有限责任公司,电联港电器,要远低于中心区域。从而保障了热脱离器脱离前,非中心区域的温度,一直处于安全温度;避免热脱离器脱离过程中,非中心区域的某点温度,可能已经超过甚至远超过警戒值,进而可能引发火灾,保障了客户设备的安全运行。
2、TOV快速、准确:热能聚集人为控制在中心区域;芯片的热能,质量好电涌保护器,传导到脱离器的传导距离最短、传导热能最多、传导热能最集中、传导速度最快,保障热脱离器能够最快速度准确脱离。保障了客户设备的TOV的快速、准确。
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