衬底片完了之后就是长外延，外延之后就是一系列的光刻，刻蚀，涂胶，沉积，清洗，离子注入等工艺，和硅工艺基本一致，然后就是后道的晶圆切die，封装测试等，基本流程和硅差不多！其中长外延，光刻胶，背面退火，刻蚀，以及氧化栅极工艺区别，欧姆接触和硅工艺区别非常大！硅的外延工艺就是普通的硅外延炉之类价格也很便宜国产的大约400-500万一台（8英寸的）；碳化硅的是特殊的MOCVD/HT-CVD，且价格非常贵，基本要800-1500万人民币一台，而且产能很低，一台炉子一个月产能是30片！

　　第五，掺杂问题碳化硅烦就是这个离子注入掺杂问题，因为碳化硅的N型掺杂氮，P型掺杂是铝.这铝原子比硅原子和碳原子大太多了，简直异物插入！因此需要高能粒子注入机，目前只有应材和爱发科有，爱发科的机台适合小批量生产，应材的产能更大但是更贵，都300万美金朝上的价格，不管爱发科还是应材都是1年半起步的订货周期，一台设备就是产能，看谁动作快.硅离子注入机能改，但是代价不小，效果一般，建议买新的，这个钱必须花!

　　外延片质量和衬底质量有一定的关系，但是不是关系，高水平的外延能很大程度上弥补衬底固有缺陷，但是缺陷太多长一层外延也并不解决问题，但是外延长的好确实降低了器件对衬底的要求。所以哪怕衬底有这么点瑕疵，外延之后，依然能用。现阶段，是有衬底就行了，所以哪怕衬底质量有些问题，依然能用，敢用原因就在这里，碳化硅需求太旺盛了!其次器件是在外延层上，除了IGBT那种垂直穿通型的结构，大部分都是在外延层上做的结构，衬底甚至还要减薄，剥离，反正有相当一部分衬底都要被剥离，有点小问题也所谓，因此外延工艺降低了器件对衬底的要求，至少二极管之类肯定是能用的！

　　必须用的是一种特殊光刻胶？干膜光刻胶？具体名称我叫不上来了，反正和硅肯定不一样.第三刻蚀，这里涉及非常复杂的工艺结构问题，现在玩碳化硅的国际三大家，英飞凌，罗姆，和CREE.其中CREE主要搞平面型，英飞凌的是非对称半包结构，罗姆是双/深沟槽结构，还有一个住友整过一个接地双掩埋！之所有英飞凌和罗姆要整这么复杂的沟槽结构，原因很简单，碳化硅和硅不一样，掺杂后的扩散推结动作异常困难，只能搞挖沟槽。其次，是增加功率/面积比，相比之下沟槽能比平面型降低30%的成本，这招业内俗称“偷面积”，能偷30%，相当可观了！

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　　外延炉主要是国外的爱思强，意大利的LPE（被ASM收购），日本的TEL，Nuflare！国内有不少公司干这个，类似北方华创，中微，以及一些小公司。PVT法的长的碳化硅晶体天然是N型，没有P型，但是做外延层就可以调节N还是P，以及掺杂浓度（至少硅的外延层就是这样的）。之所以要做外延层，道理也很简单，消除衬底本身的缺陷问题，提高器件良率，其次是根据不同工艺，需要做不同外延掺杂工艺.那么对于碳化硅而言，外延之后，能明显提高良率.

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　　国内很多公司比如露笑，东尼，晶盛机电，这些年经过技术改良和成本控制后，能做到150-200万一台甚至更便宜的价格，这个价格基本也能接受！其次碳化硅非常硬，莫氏硬度高达3是高于蓝宝石仅次于金刚石的，是坚硬的一种物质，因此切磨抛加工带来巨大的困难。第二，光刻胶与曝光工艺。我一直以为碳化硅曝光和硅基本一致，后面发现并不是这样，还是那个问题碳化硅有很好的透光性，普通6英寸光刻工艺的硅的光刻胶是完成不了曝光工序的。