体，在纯N2气中，在1370℃产生一种以%26alpha;-SiC为骨架和以%26alpha;和%26beta;-Si3N4。为基质的氮化硅结合碳化硅砖。在基质中尚有少量残留硅和SiO2N2在制品中，这些组分的相对含量随制造工厂不同而异。
(2)结合碳化硅砖：将SiC、硅粉、炭粉按一定配比，混合、成型，在1400℃还原气氛中烧成。在大多数情况下采用埋炭烧成。在烧成过程中，产生一种以%26alpha;-SiC为骨架，以细晶粒%26beta;-SiC为基质的%26beta;-Si3N4结合SiC砖。%26beta;-SiC是在烧成过程中，细硅粉与细碳粉反应生成的，这种产品也含有少量残留硅和碳。
(3)氧氮化硅结合