防氧化剂法除了优先碳源氧化生成金属氧化物和碳化物阻止含碳材料的氧化外，还可以通过固相反应生成液相等物质堵塞材料内部气孔提升材料的致密度阻止氧气的进入来提高防氧化效果，优化碳源法则通过复合碳源以及在碳源的表面添加涂层达到一定的防氧化效果.详细阐述了3种方法的工艺特点以及目前存在的问题，并对其发展方向进行了展望，为开发新型三氧化二铝-碳化硅-碳浇注料防氧化技术提供参考.高炉炼铁是钢铁工业普遍采用的炼铁工艺流程。

　　在相当长时间内，高炉炼铁仍将是炼铁工艺的选择！高炉出铁沟是铁水和炉渣熔化后的必要通道！高炉出铁沟浇注料是保障高炉出铁沟出铁安全、稳定、运行的基础，延长高炉出铁沟浇注料的使用寿命可以有效降低炼铁成本和提高生产效率。因此，它是炼铁工艺中的基础和关键耐火材料之一!由于出铁沟频繁受到高温铁水和熔渣的机械冲蚀和侵蚀，所以出铁沟浇注料必须具有优良的抗热冲击性和抗渣性。耐高温！半导体器件在较高的温度下，会产生载流子的本征激发现象，造成器件失效！

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　　2cm厚度的碳化硅晶锭，现有技术完全切开也需要至少100小时左右，相当费时间。锯切效率高，但是破片率高，线切效果稍好，但是效率很低!切磨抛设备日本高鸟，永安有不少新设备上线，从业内反馈效果还行，但是日本公司都有个通病，不太愿意大规模扩产，因此这些设备谁买到谁就能先把产能扩出来!英飞凌曾经花了24亿欧元收购一家做碳化硅冷切割（coldspitl）技术的公司Silecrta，以希望用冷切割技术，低成本得到多的碳化硅晶片!

　　在未来几年里，大尺寸碳化硅外延片占比会逐年递增.由于4英寸碳化硅衬底及外延的技术已经日趋成熟，因此，4英寸碳化硅外延晶片已不存在供给短缺的问题，其未来降价空间有限！此外，虽然当前国际先进厂商已经研发出8英寸碳化硅衬底，但其进入碳化硅功率器件制造市场将是一个漫长的过程，随着8英寸碳化硅外延技术的逐渐成熟，未来可能会出现8英寸碳化硅功率器件生产线！碳化硅外延主要解决外延晶片均匀性控制和外延缺陷控制两大问题！

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　　禁带宽度越大，器件的极限工作温度越高.碳化硅的禁带接近硅的3倍，可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。硅器件的极限工作温度一般不能超过300℃，而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600℃以上.同时，碳化硅的热导率比硅更高，高热导率有助于碳化硅器件的散热，在同样的输出功率下保持更低的温度，碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低，有助于实现设备的小型化!实现高频的性能.碳化硅的饱和电子漂移速率大，是硅的2倍，这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度。虽然对于本轮席卷全球的经济衰退深度以及何时终结还尚未定论，但2008年全球半导体和IC产业经受了近20年来最严峻的挑战却是毋庸置疑的。对于2008年全球半导体行业的表现，俞忠钰认为有三个特点。首先，美欧市场下降严重。SIA今年2月发布的报告显示，2008年全球半导体市场销售额为2486亿美元，同比2007年减少2.8%。其中美、欧、日三大市场分别下降了10.5%、6.6%、0.7%，而亚太地区则依然顽强的保持了0.4%的增长。其次，按照时间来看，前高后低的现象比较明显。上半年市场表现良好，6月份的增长率还在8%。不过情况从Q3开始变得糟糕起来，12月甚至出现了21.9%的深度下滑。此外，各种类产品表现不一。截止08年11月的数字表明，存储器市场出现了15.2%的严重下降，与此相反的是，逻辑电路却出现了14.5%的增长。